De la cristalización del silicio a la litografía EUV: proceso integral de fabricación de wafers y fundamentos físico-ingenieriles de los escáneres de ASML - Luigi Dalporto, Baldo Alberto; Mary, Sabine; Gallur, Santiago (Horizonte Académico, 2026)
La fabricación de circuitos integrados avanzados depende de una cadena de procesos altamente acoplados que comienza con la obtención de un wafer de silicio monocristalino y culmina en la transferencia de patrones nanométricos mediante fotolitografía. Este tratado presenta una revisión técnico-académica, a nivel doctoral, del proceso de creación de wafers de silicio y de los principios físico-ingenieriles de la litografía de ultravioleta extremo (EUV, 13.5 nm) empleada en los sistemas de ASML. Se describe el flujo completo desde la purificación y crecimiento cristalino (Czochralski y Float-Zone), el acondicionamiento geométrico y superficial (sawing, lapping, etching, pulido y limpieza), y la especificación metrológica (orientación, rugosidad, dopaje y resistividad), hasta el conjunto de subsistemas que definen EUV: generación de luz por plasma de estaño excitado por láser, óptica exclusivamente reflectiva, retículas multicapa Mo/Si, pellicle, vacío, control de contaminación, etapas mecatrónicas de ultra-precisión y presupuestos de overlay. Se discuten límites fundamentales y prácticos (shot noise, estocasticidad en resist, line-edge roughness, defectividad de máscara y flare) y se sintetizan trayectorias tecnológicas desde 0.33 NA (NXE) hasta High-NA 0.55 (EXE) en términos de resolución, complejidad de proceso y productividad. El manuscrito integra modelos de resolución, consideraciones de energía fotónica ( 92 eV) y mecanismos de interacción fotón-materia en resist, con énfasis en los trade-offs que condicionan nodos Q2/Q1 de manufactura.