Física, Tecnología y Métodos de Dopaje del Silicio en la Fabricación de Componentes Electrónicos Activos - Luigi Dalporto, Baldo Alberto; Mary, Sabine; Gallur, Santiago (Horizonte Académico, 2026)
El dopaje del silicio es uno de los procedimientos fundamentales en la ingeniería de semiconductores. A través de este proceso se modifican las propiedades eléctricas del cristal puro introduciendo átomos controlados de impureza (dopantes), que permiten transformar un material inicialmente aislante en un conductor selectivo con portadores de carga mayoritarios. Este tratado desarrolla con profundidad científica los principios cuántico-electrónicos, los métodos de dopaje (difusión, implantación iónica, epitaxia dopada), las ecuaciones fundamentales del transporte de portadores, los modelos físicos de equilibrio y no-equilibrio, y las tecnologías empleadas en la fabricación industrial de dispositivos activos (diodos, transistores bipolares y MOSFET). El manuscrito integra formalismo físico-matemático, descripción de procesos industriales y criterios de caracterización metrológica, con énfasis en la relación entre perfiles de dopaje, transporte de portadores y desempeño de dispositivos.